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共源共栅级的小信号增益、放大过程-KIA MOS管
共栅级的栅极电压为 V b ，是固定电位。在源级输入电压发生变化时，直接改变了共栅管的过驱动电压，产生了对应的漏电流，可以看到共栅级的放大能力是源于共栅管的跨导。www.kiaic.com/article/detail/3950.html 2022-12-06
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详解运放的信号增益和噪声增益-KIA MOS管
两个开关都拨到上面的时候称为CASE1，都拨到下面的时候称为CASE2。这也就是我们平时所说的同相放大电路和反向放大电路。www.kiaic.com/article/detail/3949.html 2022-12-05
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图文分析大信号与小信号的区别和关系-KIA MOS管
以Idvd曲线为例，对于MOS管来说，大信号所体现的特性是直流的静态工作点。那么其直流阻抗就是V/I=b/a。www.kiaic.com/article/detail/3948.html 2022-12-05
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射频功率放大器调试步骤分享-KIA MOS管
这一步主要是确定板子和管子的基本状态是否正常，首先利用万用表测量一下功放栅极对地、漏极对地的电阻是否正常，确定管子是否损坏；再检查一下电路板的状态，有无虚焊，短路，装配功放管时接地是否做到最好等等。www.kiaic.com/article/detail/3947.html 2022-12-05
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TOLL封装布局缩减30% 80V/240A KCT1808A-KIA MOS管
KIA半导体近期推出了几款采用 TOLL 封装的 NMOS 产品。相比 TO-263-6L，TOLL占板面积缩小30％，高度减小50％，节省了宝贵的 PCB 应用空间，而且热阻更小从而散热效率更高，封装寄生电感更小，有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。www.kiaic.com/article/detail/3946.html 2022-12-02
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MOSFET放大器的等效模型、工作区间、偏置-KIA MOS管
截止区：iDS为0，Vo恒为Vs。饱和区：对应电流源模型，Vo随Vin快速变化。线性区：对应电阻模型，Vo随Vin缓慢变化。www.kiaic.com/article/detail/3945.html 2022-12-02
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开关瞬态阶段SiC MOSFET建模分析-KIA MOS管
图 1 显示了处于开关瞬态阶段的 SiC MOSFET 建模过程，该过程基于电感钳位电路，该电路具有很少的关键寄生参数 Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生参数对 SiC MOSFET 的特性有很大影响，因此在建模时应给予重要考虑。www.kiaic.com/article/detail/3944.html 2022-12-02
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【电源管理】延迟上电设计分享-KIA MOS管
方案1可以设置R1，C1，R2，C2的数值以完成不同的延时，从而可以改变上电顺序，但是有缺点，因为在供电回路中串联了电阻，如果是给功放等大功率的器件供电，会产生很大的损耗。www.kiaic.com/article/detail/3943.html 2022-12-01
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【电路设计】模拟电路实现延时功能-KIA MOS管
稳压二极管有一个特性，比如上面的稳压二极管的稳压就是5.6V，也就是说，当其左端的电压没有达到5.6V的时候，其是不导通的，当电压达到5.6V，这个稳压管才会导通，才会有电流。www.kiaic.com/article/detail/3942.html 2022-12-01
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【负载开关】延时电路图文分析-KIA MOS管
延时电路一般用在对于上电时序有要求的电路以及负载开始（上电时）较大的电路而言。www.kiaic.com/article/detail/3941.html 2022-12-01
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开机延迟电路-MOS管多少V才能开启?-KIA MOS管
当开启电压达到MOS管开启电压后MOS管才能打开，DS之间才能导通D1二极管才能点亮，电路中有一颗关键的元器件C1电容，当按下SW1时电压开始给C1充电，只有当电容充到2V以上的时候Q1才会导通，导通之后按下SW2就会熄灭。www.kiaic.com/article/detail/3940.html 2022-11-30
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分享变频器的四种控制方式-KIA MOS管
变频器也称为变频驱动器或驱动控制器，是可调速驱动系统的一种，是应用变频驱动技术改变交流电动机工作电压的频率和幅度，来平滑控制交流电动机速度及转矩。www.kiaic.com/article/detail/3939.html 2022-11-30
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四种开关电路图：NMOS、PMOS-KIA MOS管
在电路设计过程中，有时需要“独立”控制几个开关的通与断。例如构造某种波形。晶体管开关能够实现一些开关的通与断不会影响其他开关的通与断，即开关之间相互“独立”，相互“无关”。www.kiaic.com/article/detail/3938.html 2022-11-30
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CMOS集成电路概念：沟道宽长比-KIA MOS管
本文介绍的数字后端概念是沟道宽长比。是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这也是CMOS集成电路的一个基本概念。沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。是由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。www.kiaic.com/article/detail/3937.html 2022-11-29